High power density performances of SiGe HBT from BiCMOS technology at W-band - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2012

High power density performances of SiGe HBT from BiCMOS technology at W-band

A. Pottrain
  • Fonction : Auteur
T. Lacave
  • Fonction : Auteur
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00788168 , version 1 (14-02-2013)

Identifiants

Citer

A. Pottrain, T. Lacave, D. Ducatteau, D. Gloria, P. Chevalier, et al.. High power density performances of SiGe HBT from BiCMOS technology at W-band. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33, pp.182-184. ⟨10.1109/LED.2011.2177631⟩. ⟨hal-00788168⟩
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