Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2012
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00788167
Soumis le : jeudi 14 février 2013-08:11:25
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00788167 , version 1
- DOI : 10.1088/0268-1242/27/3/035009
Citer
N. Ketteniss, H. Behmenburg, F. Lecourt, N. Defrance, Virginie Hoel, et al.. The effect of gate length variation on InAlGaN/GaN HFET device characteristics. Semiconductor Science and Technology, 2012, 27, pp.035009-1-4. ⟨10.1088/0268-1242/27/3/035009⟩. ⟨hal-00788167⟩
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