The effect of gate length variation on InAlGaN/GaN HFET device characteristics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2012

The effect of gate length variation on InAlGaN/GaN HFET device characteristics

N. Ketteniss
  • Fonction : Auteur
H. Behmenburg
  • Fonction : Auteur
F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
M. Heuken
  • Fonction : Auteur
H. Kalisch
  • Fonction : Auteur
A. Vescan
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00788167 , version 1 (14-02-2013)

Identifiants

Citer

N. Ketteniss, H. Behmenburg, F. Lecourt, N. Defrance, Virginie Hoel, et al.. The effect of gate length variation on InAlGaN/GaN HFET device characteristics. Semiconductor Science and Technology, 2012, 27, pp.035009-1-4. ⟨10.1088/0268-1242/27/3/035009⟩. ⟨hal-00788167⟩
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