Electromechanical transconductance properties of a GaN MEMS resonator with fully integrated HEMT transducers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Microelectromechanical Systems Année : 2012

Electromechanical transconductance properties of a GaN MEMS resonator with fully integrated HEMT transducers

Y. Cordier
M. Werquin
  • Fonction : Auteur
L. Buchaillot
Christophe Gaquière
D. Theron
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00787408 , version 1 (12-02-2013)

Identifiants

Citer

M. Faucher, Y. Cordier, M. Werquin, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, et al.. Electromechanical transconductance properties of a GaN MEMS resonator with fully integrated HEMT transducers. Journal of Microelectromechanical Systems, 2012, 21, pp.370-378. ⟨10.1109/JMEMS.2011.2179010⟩. ⟨hal-00787408⟩
22 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More