Hysteretic magnetoresistance in stress controled magnetic memory device - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanomaterialy i nanostruktury XXI vek. Année : 2012

Hysteretic magnetoresistance in stress controled magnetic memory device

Yannick Dusch
V. Rudenko
  • Fonction : Auteur
S. Giordano
  • Fonction : Auteur
Vladimir Preobrazhensky
Philippe Pernod
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00787359 , version 1 (12-02-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00787359 , version 1

Citer

Yannick Dusch, V. Rudenko, Nicolas Tiercelin, S. Giordano, Vladimir Preobrazhensky, et al.. Hysteretic magnetoresistance in stress controled magnetic memory device. Nanomaterialy i nanostruktury XXI vek., 2012, 2, pp.44-50. ⟨hal-00787359⟩
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