Monolithic integration of high electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) silicon using a GaSb/GaP accommodation layer
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Soumis le : vendredi 27 mai 2022-15:24:20
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:26
Archivage à long terme le : mardi 30 août 2022-10:02:36