Article Dans Une Revue
Journal of Physics: Condensed Matter
Année : 2012
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00787023
Soumis le : lundi 11 février 2013-11:14:27
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00787023 , version 1
- DOI : 10.1088/0953-8984/24/33/335802
Citer
Y. Wang, P. Ruterana, Jie Chen, L. Desplanque, S. El Kazzi, et al.. Strain relief and growth optimization of GaSb on GaP by molecular beam epitaxy. Journal of Physics: Condensed Matter, 2012, 24, pp.335802-1-7. ⟨10.1088/0953-8984/24/33/335802⟩. ⟨hal-00787023⟩
Collections
17
Consultations
0
Téléchargements