Article Dans Une Revue
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
Année : 2012
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00786986
Soumis le : lundi 11 février 2013-10:38:15
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
G. Moschetti, N. Wadefalk, P.A. Nilsson, M. Abbasi, L. Desplanque, et al.. Cryogenic InAs/AlSb HEMT wideband low-noise IF amplifier for ultra-low-power applications. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2012, 22, pp.144-146. ⟨10.1109/LMWC.2011.2182637⟩. ⟨hal-00786986⟩
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