480-GHz fmax in InP/GaAsSb/InP DHBT with new base isolation µ-airbridge design - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2012

480-GHz fmax in InP/GaAsSb/InP DHBT with new base isolation µ-airbridge design

E. Mairiaux
  • Fonction : Auteur
Yannick Roelens
N. Waldhoff
  • Fonction : Auteur
U. Rouchy
  • Fonction : Auteur
P. Frijlink
  • Fonction : Auteur
M. Rocchi
  • Fonction : Auteur
H. Maher
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00786893 , version 1 (11-02-2013)

Identifiants

Citer

M. Zaknoune, E. Mairiaux, Yannick Roelens, N. Waldhoff, U. Rouchy, et al.. 480-GHz fmax in InP/GaAsSb/InP DHBT with new base isolation µ-airbridge design. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33, pp.1381-1383. ⟨10.1109/LED.2012.2210187⟩. ⟨hal-00786893⟩
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