Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00786893
Soumis le : lundi 11 février 2013-09:06:32
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Zaknoune, E. Mairiaux, Yannick Roelens, N. Waldhoff, U. Rouchy, et al.. 480-GHz fmax in InP/GaAsSb/InP DHBT with new base isolation µ-airbridge design. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33, pp.1381-1383. ⟨10.1109/LED.2012.2210187⟩. ⟨hal-00786893⟩
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