Electrical characterization of traps in AlGaN/GaN FAT-HEMT's on silicon substrate by C-V and DLTS measurements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Modern Physics Année : 2011

Electrical characterization of traps in AlGaN/GaN FAT-HEMT's on silicon substrate by C-V and DLTS measurements

M. Charfeddine
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00783410 , version 1 (01-02-2013)

Identifiants

Citer

M. Charfeddine, M. Gassoumi, H. Mosbahi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, et al.. Electrical characterization of traps in AlGaN/GaN FAT-HEMT's on silicon substrate by C-V and DLTS measurements. Journal of Modern Physics, 2011, 2, pp.1229-1234. ⟨10.4236/jmp.2011.210152⟩. ⟨hal-00783410⟩
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