Article Dans Une Revue
Journal of Modern Physics
Année : 2011
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00783410
Soumis le : vendredi 1 février 2013-09:56:56
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Charfeddine, M. Gassoumi, H. Mosbahi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, et al.. Electrical characterization of traps in AlGaN/GaN FAT-HEMT's on silicon substrate by C-V and DLTS measurements. Journal of Modern Physics, 2011, 2, pp.1229-1234. ⟨10.4236/jmp.2011.210152⟩. ⟨hal-00783410⟩
Collections
27
Consultations
0
Téléchargements