Magnetoelectric memory cell using multiferroic nanostructures and magnetoelastic switching - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nanomaterialy i nanostruktury XXI vek. Année : 2011

Magnetoelectric memory cell using multiferroic nanostructures and magnetoelastic switching

Nicolas Tiercelin
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Yannick Dusch
Vladimir Preobrazhensky
Philippe Pernod

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https://hal.science/hal-00783385

Soumis le : vendredi 1 février 2013-09:16:24

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00783385 , version 1 (01-02-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00783385 , version 1

Citer

Nicolas Tiercelin, Yannick Dusch, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod. Magnetoelectric memory cell using multiferroic nanostructures and magnetoelastic switching. Nanomaterialy i nanostruktury XXI vek., 2011, 2, pp.16-20. ⟨hal-00783385⟩

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