Caracterisations structurales et electriques de μc-Si1−xCx :H deposes par RF-PECVD - Archive ouverte HAL

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Conference Papers Year : 2012

Caracterisations structurales et electriques de μc-Si1−xCx :H deposes par RF-PECVD

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Sofia Gaiaschi

Function : Author

Laboratoire de génie électrique de Paris

R. Ruggeri

Function : Author

E.V. Johnson

Function : Author
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IdHAL : erikvjohnson
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IdRef : 253120209

Pavel Bulkin

Function : Author
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IdHAL : pavel-bulkin
ORCID : 0000-0001-5591-3470
IdRef : 253127122

Marie-Estelle Gueunier-Farret

Function : Author
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IdHAL : marie-gueunier-farret
ORCID : 0000-0003-1615-498X
IdRef : 166935093

Laboratoire de génie électrique de Paris

Christophe Longeaud

Function : Author
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IdHAL : christophe-longeaud
ORCID : 0000-0002-7175-3267
IdRef : 076747425

Laboratoire de génie électrique de Paris

G. Mannino

Function : Author

Jean-Paul Kleider

Function : Author
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IdHAL : jean-paul-kleider
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Laboratoire de génie électrique de Paris

Olivier Schneegans : Connect in order to contact the contributor

https://centralesupelec.hal.science/hal-00781749

Submitted on : Monday, January 28, 2013-12:02:41 PM

Last modification on : Friday, March 24, 2023-2:52:56 PM

Dates and versions

hal-00781749 , version 1 (28-01-2013)

Identifiers

HAL Id : hal-00781749 , version 1

Cite

Sofia Gaiaschi, R. Ruggeri, E.V. Johnson, Pavel Bulkin, Marie-Estelle Gueunier-Farret, et al.. Caracterisations structurales et electriques de μc-Si1−xCx :H deposes par RF-PECVD. JNPV 2012, Dec 2012, Chantilly, France. ⟨hal-00781749⟩

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