Contribution des faisceaux d'ions à l'élaboration de dispositifs pour l'électronique souple - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Contribution des faisceaux d'ions à l'élaboration de dispositifs pour l'électronique souple

Rémi Antony
Bruno Lucas
André Moliton
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 919459
Bernard Ratier

Résumé

L' électronique organique connaît aujourd'hui un véritable essor, notamment avec l'apparition sur le marché d'afficheurs et d'écrans à base de diodes électroluminescentes. Outre ces dispositifs, de nouveaux domaines d'applications sont visés, tels que la conversion de l'énergie solaire, l'élaboration de circuits logiques/mémoires bas coût. Les composants de base de ces dispositifs, diodes électroluminescentes, cellules photovoltaïques et transistors à effet de champ à base de petites molécules sont étudiés dans notre laboratoire. Les faisceaux d'ions peuvent apporter des effets bénéfiques lors de l'élaboration de ces dispositifs. Plus particulièrement la production d' ITO par pulvérisation par faisceaux d'ions permet d'obtenir cet oxyde à basse température, en vue de l'utilisation de substrats souples. Au niveau de la cathode, l'assistance par faisceau d'ions du dépôts de la couche métallique permet une diminution de la porosité de cette couche, limitant la diffusion de l'oxygène et de la vapeur d'eau à l'interface organique/métal, d'où l'augmentation de la durée de vie du dispositif ainsi réalisé. Plastic electronics has gain a growing interest since the appearance on market of organic displays based on light emitting diodes. Otherwise, new application domains are investigated, like solar energy conversion or low cost logic/memory circuits. Basic devices used in these applications, light emitting diodes, photovoltaic cells and thin film transistors base on small organic molecules are studied in our laboratory. Ion beam processes used during device elaboration can bring an enhancement of the final device properties. More precisely, ion beam sputtering allows to obtain ITO thin films at low temperature, suitable when plastic substrates are used. At the cathode side, ion beam assisted deposition of the metallic layer diminishes porosity, preventing gas diffusion at the organic/metal interface, and enhance the lifetime of the device.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00757691 , version 1 (27-11-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00757691 , version 1

Citer

Rémi Antony, Bruno Lucas, André Moliton, Bernard Ratier. Contribution des faisceaux d'ions à l'élaboration de dispositifs pour l'électronique souple. OURNÉES SCIENTIFIQUES DU CNFRS " NANOSCIENCES ET RADIOÉLECTRICITÉ", Mar 2007, Paris, France. ⟨hal-00757691⟩

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