Amélioration des propriétés de transport dans les transistors HEMT composés de semi-conducteurs borés à larges bande interdite (III-B)-N - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2012

Amélioration des propriétés de transport dans les transistors HEMT composés de semi-conducteurs borés à larges bande interdite (III-B)-N

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00743478 , version 1 (19-10-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00743478 , version 1

Citer

A. Ougazzaden, M.A. Poisson, V. Ravindran, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger. Amélioration des propriétés de transport dans les transistors HEMT composés de semi-conducteurs borés à larges bande interdite (III-B)-N. N° de brevet: FR2974242 (A1). 2012. ⟨hal-00743478⟩
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