Les transistors de puissance radiofréquence sont les éléments clés des modules d'émission RADAR. Depuis une décennie, on assiste à l'émergence d'une nouvelle technologie, les transistors HEMT AlGaN-GaN. Ce matériau à grande bande interdite a déjà démontré des performances jusqu'ici inégalées, conséquences d'un champ de claquage important, d'une vitesse de dérive des porteurs élevée et d'une bonne conductivité thermique, rendant ces composants attractifs pour des applications de puissance en radiofréquences et microondes. Un premier amplificateur de puissance classe B a été conçu autour d'un transistor HEMT GaN du fondeur NITRONEX. Cet amplificateur fonctionne à la fréquence de 3GHz et fournit une puissance de 45W à 2dB de compression pour un gain de 9dB et une PAE d'environ 55%. L'étude consiste à en évaluer la fiabilité suivant différents critères de stress (DC, RF, thermique, charge, ...), pour aboutir à des règles de conception. Après mesure et optimisation sur banc Load Pull de deux maquettes, 1280 heures de vieillissement à 80°C et 1dB de compression ont été effectuées au cours desquelles des grandeurs caractéristiques de l'amplificateur (puissance d'entrée, puissance de sortie, puissance réfléchie, gain, rendement) sont suivies. Celles-ci restent stables tout au long de l'épreuve qualifiant l'amplificateur pour une application RADAR. La suite du travail consistera à mettre en œuvre d'autres protocoles de vieillissement et évaluer l'apport des classes à haut rendement sur la fiabilité de ces composants. Une analyse structurale par FIB et/ou photoémission sera entreprise afin de déterminer les mécanismes physiques responsables des dégradations dans des modes de fonctionnement réalistes.