Émission paramétrique dans les microcavités de semiconducteurs : fonction de corrélation du second ordre
Résumé
Les interactions entre polaritons ou excitons dans les cavités de semiconducteurs ont révélé une grande variété d'effets intéressants à la fois pour des raisons purement fondamentales et pour des motivations applicatives [1,2]. En particulier la diffusion paramétrique [2,3] a été proposée comme phénomène à la base de la réalisation de sources de photons jumeaux de taille micrométrique et intégrables. L'oscillation paramétrique optique a été observée dans des systèmes de cavités couplées comme dans des microcavités unidimensionnelles [2,4]. L'avantage de ces systèmes par rapport aux simples cavités planaires est la possibilité de pouvoir les exciter avec un laser de pompe à l'incidence normale, en éliminant éventuellement la contrainte liée au couplage fort [4]. Généralement, une configuration dégénérée en énergie permet d'obtenir le faisceaux Signal et Complémentaire parfaitement équilibrés en intensité, qualité très importante pour l'étude des corrélations entre les deux faisceaux. Dans ce travail nous nous intéressons aux propriétés de cohérence de l'émission paramétrique issue des cavités unidimensionnelles. Nous mesurons le valeur de g(2) à retard zéro avec un interféromètre de HBT , qui nous donne accès à la statistique de l'émission. Nos résultats montrent qu'au niveau du seuil d'oscillation la statistique d'émission change, passant d'une statistique de type thermique à une statistique partiellement cohérente. Néanmoins il est possible de mettre en évidence des différences substantielles avec le comportement attendu dans le cas d'un OPO standard. [1] P.G. Savvidis et al. Phys. Rev. Lett. 84, 1547 (2000) [2] E. Wertz et al., Nat. Phys. 6, 860 (2010) [3] C. Diederichs et al. Nature 440, 904 (2006) [4] M. Abbarchi et al. Phys. Rev. B, 83, 20130(R) (2011)