Electronic Properties of GaSb Based Heterostructure for 3 um Emission - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Sensor letters Année : 2012

Electronic Properties of GaSb Based Heterostructure for 3 um Emission

A. Jdidi
  • Fonction : Auteur
S. Abdi-Ben Nasrallah
  • Fonction : Auteur
N. Sfina
  • Fonction : Auteur
M. Saïd
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00698897 , version 1 (18-05-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00698897 , version 1

Citer

A. Jdidi, S. Abdi-Ben Nasrallah, N. Sfina, M. Saïd, J.-L. Lazzari. Electronic Properties of GaSb Based Heterostructure for 3 um Emission. Sensor letters, 2012, 9 (6), pp.2257-2260. ⟨hal-00698897⟩
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