Single ZnO Nanowire/p-type GaN Heterojunctions for Photovoltaic Devices and UV Light-Emitting Diodes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Advanced Materials Année : 2010

Single ZnO Nanowire/p-type GaN Heterojunctions for Photovoltaic Devices and UV Light-Emitting Diodes

Ya-Qing Bie
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Zhi-Min Liao
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Peng-Wei Wang
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Yong-Bo Zhou
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Xiao-Bing Han
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Yu Ye
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Qing Zhao
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Xiao-Song Wu
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Lun Dai
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Jun Xu
Li-Wen Sang
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Jun-Jing Deng
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K. Laurent
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Da-Peng Yu
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Résumé

We fabricate heterojunctions consisting of a single n-type ZnO nanowire and a p-type GaN film. The photovoltaic effect of heterojunctions exhibits open-circuit voltages ranging from 2 to 2.7 V, and a maximum output power reaching 80 nW. Light-emitting diodes with UV electroluminescence based on the heterojunctions are demonstrated.

Dates et versions

hal-00693186 , version 1 (02-05-2012)

Identifiants

Citer

Ya-Qing Bie, Zhi-Min Liao, Peng-Wei Wang, Yong-Bo Zhou, Xiao-Bing Han, et al.. Single ZnO Nanowire/p-type GaN Heterojunctions for Photovoltaic Devices and UV Light-Emitting Diodes. Advanced Materials, 2010, 22 (38), pp.4284--+. ⟨10.1002/adma.201000985⟩. ⟨hal-00693186⟩
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