Analytical modeling of the tunneling current in schottky barrier carbon nanotube field effect transistor using the verilog-a language - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Analytical modeling of the tunneling current in schottky barrier carbon nanotube field effect transistor using the verilog-a language

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00674301

Soumis le : lundi 27 février 2012-09:59:15

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

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Dates et versions

hal-00674301 , version 1 (27-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00674301 , version 1

Citer

Montassar Najari, Sebastien Fregonese, Cristell Maneux, Thomas Zimmer, Hassene Mnif, et al.. Analytical modeling of the tunneling current in schottky barrier carbon nanotube field effect transistor using the verilog-a language. ) 2009 6th International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices, Mar 2009, Tunisia. ⟨hal-00674301⟩

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