TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer

Al-Sadi Mahmoud; Sébastien Fregonese; Cristell Maneux; Thomas Zimmer

doi:10.1016/j.mssp.2011.03.002

Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2010

TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer

, (1) , (1) , (1)

1

Al-Sadi Mahmoud

Fonction : Auteur

Sébastien Fregonese

Fonction : Auteur
PersonId : 16107
IdHAL : sebastien-fregonese
ORCID : 0000-0002-1829-2633
IdRef : 097656631

Nanoélectronique/MODEL

Cristell Maneux

Fonction : Auteur
PersonId : 15639
IdHAL : cristell-maneux
ORCID : 0000-0001-9125-5372
IdRef : 135213584

Nanoélectronique/MODEL

Thomas Zimmer

Fonction : Auteur

Nanoélectronique/MODEL

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00671678

Soumis le : samedi 18 février 2012-11:34:07

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

Dates et versions

hal-00671678 , version 1 (18-02-2012)

Identifiants

HAL Id : hal-00671678 , version 1
DOI : 10.1016/j.mssp.2011.03.002

Citer

Al-Sadi Mahmoud, Sébastien Fregonese, Cristell Maneux, Thomas Zimmer. TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer. Materials Science in Semiconductor Processing, 2010, 13 (5-6), pp. 344-348. ⟨10.1016/j.mssp.2011.03.002⟩. ⟨hal-00671678⟩

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