TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2010

TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer

Al-Sadi Mahmoud
  • Fonction : Auteur
Sébastien Fregonese
Cristell Maneux

Dates et versions

hal-00671678 , version 1 (18-02-2012)

Identifiants

Citer

Al-Sadi Mahmoud, Sébastien Fregonese, Cristell Maneux, Thomas Zimmer. TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer. Materials Science in Semiconductor Processing, 2010, 13 (5-6), pp. 344-348. ⟨10.1016/j.mssp.2011.03.002⟩. ⟨hal-00671678⟩
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