Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2011

Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00671676

Soumis le : samedi 18 février 2012-11:26:53

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

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Dates et versions

hal-00671676 , version 1 (18-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00671676 , version 1

Citer

S. Ghosh, B. Grandchamp, G.A Koné, F. Marc, C. Maneux, et al.. Investigation of the degradation mechanisms of InP/InGaAs DHBT under bias stress conditions to achieve electrical aging model for circuit design. Microelectronics Reliability, 2011, 51 (9-11), pp. 1736-1741. ⟨hal-00671676⟩

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