Étude d'un filtre volumique SIW en technologie LTCC sur un substrat de forte permittivité en bande X

La technologie SIW apporte un gain en terme de facteur de qualité par rapport aux technologies planaires. Sa facilité d'intégration avec ces dernières, ainsi que son coût de production sont autant d'atouts qui la rendent attractive. Son encombrement reste en revanche l'un de ses principal défaut. Ce document présente ici la combinaison de deux solutions pour y remédier : L'utilisation d'une technologie multicouche pour empiler les cavités et réduire ainsi l'empreinte. L'utilisation d'un substrat de haute permittivité afin de réduire les dimensions selon les 3 axes. Ces solutions sont testées ici sur un filtre d'ordre 6 en bande X.

Domaines

Electronique Electromagnétisme

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https://hal.science/hal-00669552

Soumis le : lundi 13 février 2012-14:24:55

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-12:42:58

Archivage à long terme le : lundi 14 mai 2012-02:35:58

Dates et versions

hal-00669552 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

HAL Id : hal-00669552 , version 1

Citer

Jonathan Garreau, Benjamin Potelon, Eric Rius, Jean-François Favennec, Cédric Quendo, et al.. Étude d'un filtre volumique SIW en technologie LTCC sur un substrat de forte permittivité en bande X. 17èmes Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.4F-9. ⟨hal-00669552⟩

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