Role of H2 plasma in PE-MOCVD of GeTe materials for Phase Change Memory Applications

L. Dussault; Corentin Vallée; E. Gourvest; D. Jourde; S. Maitrejean; P. Michallon

Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Role of H2 plasma in PE-MOCVD of GeTe materials for Phase Change Memory Applications

(1) , (1) , (2) , , , (3)

1
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3

L. Dussault

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Corentin Vallée

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

E. Gourvest

Fonction : Auteur

STMicroelectronics [Crolles]

D. Jourde

Fonction : Auteur

S. Maitrejean

Fonction : Auteur

P. Michallon

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00669530

Soumis le : lundi 13 février 2012-14:10:02

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Dates et versions

hal-00669530 , version 1 (13-02-2012)

Identifiants

HAL Id : hal-00669530 , version 1

Citer

L. Dussault, Corentin Vallée, E. Gourvest, D. Jourde, S. Maitrejean, et al.. Role of H2 plasma in PE-MOCVD of GeTe materials for Phase Change Memory Applications. MAM 2012, Mar 2012, Grenoble, France. ⟨hal-00669530⟩

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