Investigation of single event burnout sensitive depth in power MOSFETS
Résumé
The depth of the Single-event burnout sensitive volume of power MOSFETs is investigated using TCAD simulation and TPA laser testing approaches.
Frédéric Darracq : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00667364
Soumis le : mardi 7 février 2012-14:54:05
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11