Electrical characteristics of SiC UV-Photodetector device : from the p-i-n structure behaviour to the Junction Barrier Schottky structure behaviour - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Electrical characteristics of SiC UV-Photodetector device : from the p-i-n structure behaviour to the Junction Barrier Schottky structure behaviour

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00661511 , version 1 (19-01-2012)

Identifiants

Citer

Stéphane Biondo, Mihai Lazar, Laurent Ottaviani, Wilfried Vervisch, Olivier Palais, et al.. Electrical characteristics of SiC UV-Photodetector device : from the p-i-n structure behaviour to the Junction Barrier Schottky structure behaviour. HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.114-117, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.114⟩. ⟨hal-00661511⟩
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