Etude par diffraction/diffusion de rayons X du SiC irradié par des ions - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Etude par diffraction/diffusion de rayons X du SiC irradié par des ions

Résumé

Nous allons discuter les modifications des propriétés structurales du SiC, observées par diffraction et diffusion des rayons X in situ, dans une atmosphère contrôlée (faiblement réductrice) et en fonction de la température (T<1200°C), pendant les recuits d'échantillons irradiés par des ions. Ces résultats montrent des différences sensibles entre le comportement mécanique de la région endommagée et celui de la partie non endommagée.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00643788 , version 1 (22-11-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00643788 , version 1

Citer

Gianguido Baldinozzi, David Simeone, Dominique Gosset, Yanwen Zhang, W.J. Weber. Etude par diffraction/diffusion de rayons X du SiC irradié par des ions. Journées bilan du GNR MATINEX 2010, Jan 2011, Limoges, France. ⟨hal-00643788⟩
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