InAlN/GaN HEMTs on sapphire substrate with 2.9-W/mm output power density at 18 GHz - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2011

InAlN/GaN HEMTs on sapphire substrate with 2.9-W/mm output power density at 18 GHz

F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
N. Ketteniss
  • Fonction : Auteur
H. Behmenburg
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Virginie Hoel
M. Eickelkamp
  • Fonction : Auteur
A. Vescan
  • Fonction : Auteur
C. Giesen
  • Fonction : Auteur
M. Heuken
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger

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https://hal.science/hal-00639917

Soumis le : jeudi 10 novembre 2011-11:08:06

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00639917 , version 1 (10-11-2011)

Identifiants

Citer

F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, Virginie Hoel, et al.. InAlN/GaN HEMTs on sapphire substrate with 2.9-W/mm output power density at 18 GHz. IEEE Electron Device Letters, 2011, 32, pp.1537-1539. ⟨10.1109/LED.2011.2166949⟩. ⟨hal-00639917⟩

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