Article Dans Une Revue
European Physical Journal: Applied Physics
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00639884
Soumis le : jeudi 10 novembre 2011-10:39:59
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Gassoumi, S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, Christophe Gaquière, H. Maaref. Correlation between hysteresis phenomena and hole-like trap in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN of Schottky barrier diode. European Physical Journal: Applied Physics, 2011, 55, pp.30101-1-4. ⟨10.1051/epjap/2011110136⟩. ⟨hal-00639884⟩
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