Correlation between hysteresis phenomena and hole-like trap in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN of Schottky barrier diode - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue European Physical Journal: Applied Physics Année : 2011

Correlation between hysteresis phenomena and hole-like trap in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN of Schottky barrier diode

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
S. Saadaoui
  • Fonction : Auteur
M.M. Ben Salem
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00639884 , version 1 (10-11-2011)

Identifiants

Citer

M. Gassoumi, S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, Christophe Gaquière, H. Maaref. Correlation between hysteresis phenomena and hole-like trap in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN of Schottky barrier diode. European Physical Journal: Applied Physics, 2011, 55, pp.30101-1-4. ⟨10.1051/epjap/2011110136⟩. ⟨hal-00639884⟩
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