InAs/AlSb HEMTs for cryogenic LNAs at ultra-low power dissipation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2011

InAs/AlSb HEMTs for cryogenic LNAs at ultra-low power dissipation

G. Moschetti
  • Fonction : Auteur
N. Wadefalk
  • Fonction : Auteur
P.A. Nilsson
  • Fonction : Auteur
A. Noudeviwa
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Francois Danneville
Gilles Dambrine
S. Bollaert
J. Grahn
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00639807 , version 1 (10-11-2011)

Identifiants

Citer

G. Moschetti, N. Wadefalk, P.A. Nilsson, Yannick Roelens, A. Noudeviwa, et al.. InAs/AlSb HEMTs for cryogenic LNAs at ultra-low power dissipation. Solid-State Electronics, 2011, 64, pp.47-53. ⟨10.1016/j.sse.2011.06.048⟩. ⟨hal-00639807⟩
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