Exciton binding energies and energy splittings in aluminium nitride bulk and epilayers
Résumé
We review strain effects on excitonic energies in AlN
Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00633667
Soumis le : mercredi 19 octobre 2011-09:59:12
Dernière modification le : lundi 14 octobre 2024-11:00:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00633667 , version 1
Citer
Bernard Gil, Didier Felbacq, Brahim Guizal, Guy Bouchitté. Exciton binding energies and energy splittings in aluminium nitride bulk and epilayers. SPIE PHOTONICS West Gallium Nitride Materials and Devices VI SPIE 7939, Jan 2011, San francisco, France. ⟨hal-00633667⟩
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