Porous SiOCH integration: Etch challenges with a trench first metal hard mask approach - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Porous SiOCH integration: Etch challenges with a trench first metal hard mask approach

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00625347

Soumis le : mercredi 21 septembre 2011-13:16:00

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:33:43

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00625347 , version 1 (21-09-2011)

Identifiants

Citer

Nicolas Possémé, Thibaut David, Thierry Chevolleau, Maxime Darnon, Philippe Brun, et al.. Porous SiOCH integration: Etch challenges with a trench first metal hard mask approach. Chinese Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), Mar 2011, Shanghaï, China. pp.389-394, ⟨10.1149/1.3567609⟩. ⟨hal-00625347⟩

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