The impact of oxide properties on resistive RAM electrical characteristics - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

The impact of oxide properties on resistive RAM electrical characteristics

V. Jousseaume
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
C. Guedj
  • Fonction : Auteur
J.F. Nodin
  • Fonction : Auteur
A. Persico
  • Fonction : Auteur
H. Feldis
  • Fonction : Auteur
S. Minoret
  • Fonction : Auteur
A. Roule
  • Fonction : Auteur
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
A. Zenasni
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
A. Fantini
  • Fonction : Auteur
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
P. Gonon
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Vallee
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
G. Auvert
  • Fonction : Auteur
J.P. Barnes
  • Fonction : Auteur
E. Martinez
Pierre Calka
S. Favier
  • Fonction : Auteur
J. Buckley
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00625271

Soumis le : mercredi 21 septembre 2011-11:29:24

Dernière modification le : vendredi 4 octobre 2024-16:10:10

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00625271 , version 1 (21-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00625271 , version 1

Citer

V. Jousseaume, C. Guedj, J.F. Nodin, A. Persico, H. Feldis, et al.. The impact of oxide properties on resistive RAM electrical characteristics. 2010 MRS Spring Meeting, 2010, San Francisco (USA), United States. ⟨hal-00625271⟩

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