Ultra-Thin (4nm) Gate-All-Around CMOS devices with High-k/Metal for Low Power Multimedia Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Ultra-Thin (4nm) Gate-All-Around CMOS devices with High-k/Metal for Low Power Multimedia Applications

J.-L. Huguenin
  • Fonction : Auteur
S. Monfray
  • Fonction : Auteur
G. Bidal
  • Fonction : Auteur
S. Denorme
  • Fonction : Auteur
P. Perreau
  • Fonction : Auteur
N. Loubet
  • Fonction : Auteur
M.-P. Samson
  • Fonction : Auteur
C. Arvet
  • Fonction : Auteur
K. Benotmane
  • Fonction : Auteur
F. Leverd
  • Fonction : Auteur
P. Gouraud
  • Fonction : Auteur
B. Le-Gratiet
  • Fonction : Auteur
C. De-Butet
  • Fonction : Auteur
S. Barnola
  • Fonction : Auteur
F. Boeuf
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604648 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604648 , version 1

Citer

J.-L. Huguenin, S. Monfray, G. Bidal, S. Denorme, P. Perreau, et al.. Ultra-Thin (4nm) Gate-All-Around CMOS devices with High-k/Metal for Low Power Multimedia Applications. SSDM 2010, 2010, tokyo, Japan. ⟨hal-00604648⟩
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