Investigation of the role of H-related defects in Al2O3 blocking layer on charge-trap memory retention by atomistic simulations and device physical modelling - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Investigation of the role of H-related defects in Al2O3 blocking layer on charge-trap memory retention by atomistic simulations and device physical modelling

G. Molas
  • Fonction : Auteur
L. Masoero
  • Fonction : Auteur
P. Blaise
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
A. Padovani
  • Fonction : Auteur
J. P. Colonna
  • Fonction : Auteur
E. Vianello
  • Fonction : Auteur
Marc Bocquet
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
CV
Emmanuel Nowak
  • Fonction : Auteur
Bertin Technologies
M. Gasulla
  • Fonction : Auteur
O. Cueto
  • Fonction : Auteur
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
F. Martin
  • Fonction : Auteur
R. Kies
  • Fonction : Auteur
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
M. Gély
  • Fonction : Auteur
A. M. Papon
  • Fonction : Auteur
D. Lafond
  • Fonction : Auteur
J. P. Barnes
  • Fonction : Auteur
C. Licitra
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
L. Larcher
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur

Domaines

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https://hal.science/hal-00604550

Soumis le : mercredi 29 juin 2011-11:19:48

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604550 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604550 , version 1

Citer

G. Molas, L. Masoero, P. Blaise, A. Padovani, J. P. Colonna, et al.. Investigation of the role of H-related defects in Al2O3 blocking layer on charge-trap memory retention by atomistic simulations and device physical modelling. IEEE IEDM 2010,, 2010, San Francisco, CA, Spain. ⟨hal-00604550⟩

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