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Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Investigation of the role of H-related defects in Al2O3 blocking layer on charge-trap memory retention by atomistic simulations and device physical modelling

G. Molas
  • Fonction : Auteur
L. Masoero
  • Fonction : Auteur
A. Padovani
  • Fonction : Auteur
J. P. Colonna
  • Fonction : Auteur
E. Vianello
  • Fonction : Auteur
M. Gasulla
  • Fonction : Auteur
O. Cueto
  • Fonction : Auteur
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
F. Martin
  • Fonction : Auteur
R. Kies
  • Fonction : Auteur
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
M. Gély
  • Fonction : Auteur
A. M. Papon
  • Fonction : Auteur
D. Lafond
  • Fonction : Auteur
J. P. Barnes
  • Fonction : Auteur
C. Licitra
L. Larcher
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604550 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604550 , version 1

Citer

G. Molas, L. Masoero, P. Blaise, A. Padovani, J. P. Colonna, et al.. Investigation of the role of H-related defects in Al2O3 blocking layer on charge-trap memory retention by atomistic simulations and device physical modelling. IEEE IEDM 2010,, 2010, San Francisco, CA, Spain. ⟨hal-00604550⟩
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