Schottky barrier 3C-SiC nanowire field effect transistor ECSCRM - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Schottky barrier 3C-SiC nanowire field effect transistor ECSCRM

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00604274

Soumis le : mardi 28 juin 2011-15:38:23

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604274 , version 1 (28-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604274 , version 1

Citer

K. Rogdakis, Edwige Bano, L. Montes, Mikhael Bechelany, D. Cornu, et al.. Schottky barrier 3C-SiC nanowire field effect transistor ECSCRM. European Conference on Silicon Carbide and Related, 2010, Oslo, Norway. pp.613-616. ⟨hal-00604274⟩

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