A Physics-Based Compact Model of Quantum-Mechanical Effects for Thin Cylindrical Si-Nanowire MOSFETs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

A Physics-Based Compact Model of Quantum-Mechanical Effects for Thin Cylindrical Si-Nanowire MOSFETs

B. Cousin
  • Fonction : Auteur
Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
O. Rozeau
  • Fonction : Auteur
M.-A. Jaud
  • Fonction : Auteur
J. Jomaah
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00604256

Soumis le : mardi 28 juin 2011-15:17:57

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604256 , version 1 (28-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604256 , version 1

Citer

B. Cousin, O. Rozeau, M.-A. Jaud, J. Jomaah. A Physics-Based Compact Model of Quantum-Mechanical Effects for Thin Cylindrical Si-Nanowire MOSFETs. Conference proceedings to be published, IEEE, 2009, Apr 2009, Hsinchu, Taiwan. ⟨hal-00604256⟩

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