Charge Localization During Program and Retention in NROM-like Nonvolatile Memory Devices. - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Charge Localization During Program and Retention in NROM-like Nonvolatile Memory Devices.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00604215

Soumis le : mardi 28 juin 2011-14:47:42

Dernière modification le : lundi 9 décembre 2024-03:21:24

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604215 , version 1 (28-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604215 , version 1

Citer

Emmanuel Nowak, E. Vianello, L. Perniola, Marc Bocquet, G. Molas, et al.. Charge Localization During Program and Retention in NROM-like Nonvolatile Memory Devices.. International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2009, Sendai, Japan. ⟨hal-00604215⟩

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