Influence of ionized impurities in Silicon Nanowire Transistors - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Influence of ionized impurities in Silicon Nanowire Transistors

M. Bescond
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
M. Lannoo
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
L. Raymond
CV
Fabienne Michelini
M. G. Pala
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00603874

Soumis le : lundi 27 juin 2011-15:25:54

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:28:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603874 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603874 , version 1

Citer

M. Bescond, M. Lannoo, L. Raymond, Fabienne Michelini, M. G. Pala. Influence of ionized impurities in Silicon Nanowire Transistors. Proceedings of IWCE 2009, IEEE Conference Proceedings CFP09462-PRT, ISBN 978-1-4244-3926-3, 2009, Beijing, China. pp.137-140. ⟨hal-00603874⟩

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