Full-3D real-space simulation of surface-roughness effects in double gate MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Full-3D real-space simulation of surface-roughness effects in double gate MOSFETs

C. Buran
  • Fonction : Auteur
M. G. Pala
S. Poli
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603871 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603871 , version 1

Citer

C. Buran, M. G. Pala, S. Poli, M. Mouis. Full-3D real-space simulation of surface-roughness effects in double gate MOSFETs. Proceedings of IWCE 2009, IEEE Conference Proceedings CFP09462-PRT, ISBN 978-1-4244-3926-3, May 2009, Beijing, China. pp.309-312. ⟨hal-00603871⟩
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