Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00603871
Soumis le : lundi 27 juin 2011-15:23:24
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:17:24
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00603871 , version 1
Citer
C. Buran, M. G. Pala, S. Poli, M. Mouis. Full-3D real-space simulation of surface-roughness effects in double gate MOSFETs. Proceedings of IWCE 2009, IEEE Conference Proceedings CFP09462-PRT, ISBN 978-1-4244-3926-3, May 2009, Beijing, China. pp.309-312. ⟨hal-00603871⟩
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