From Atomistic to Device Level Investigation of Hybrid Redox Molecular/Silicon Field-Effect Memory Devices IMW - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

From Atomistic to Device Level Investigation of Hybrid Redox Molecular/Silicon Field-Effect Memory Devices IMW

J. Buckley
T. Pro
  • Fonction : Auteur
R. Barattin
  • Fonction : Auteur
Institut de biologie et chimie des protéines [Lyon]
A. Calborean
  • Fonction : Auteur
K. Huang
  • Fonction : Auteur
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés
Institute of VLSI Design
V. Aiello
  • Fonction : Auteur
G. Nicotra
  • Fonction : Auteur
M. Gely
  • Fonction : Auteur
G. Delapierre
  • Fonction : Auteur
E. Jalaguier
  • Fonction : Auteur
F. Duclairoir
CV
N. Chevalier
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de psychologie cognitive
D. Mariolle
  • Fonction : Auteur
C. Spinella
  • Fonction : Auteur
S. Lombardo
  • Fonction : Auteur
P. Blaise
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
P. Maldivi
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
R. Baptist
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00603820

Soumis le : lundi 27 juin 2011-14:33:46

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:50:39

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603820 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603820 , version 1

Citer

J. Buckley, T. Pro, R. Barattin, A. Calborean, K. Huang, et al.. From Atomistic to Device Level Investigation of Hybrid Redox Molecular/Silicon Field-Effect Memory Devices IMW. to be published (IEEE Conference Proceedings, 2009), May 2009, Monterey, CA, United States. ⟨hal-00603820⟩

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