-FET: electrostatics and influence of spacer thickness. - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

-FET: electrostatics and influence of spacer thickness.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00603733

Soumis le : lundi 27 juin 2011-11:22:15

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603733 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603733 , version 1

Citer

K. Tachi, T. Ernst, C. Dupre, A. Hubert, S. Becu, et al.. -FET: electrostatics and influence of spacer thickness.. 5th EUROSOI Workshop, Jan 2009, Göteborg, Sweden. ⟨hal-00603733⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UNIV-SAVOIE UGA CNRS UNIV-FCOMTE UNIV-BM FEMTO-ST UNIV-BM-THESE FMNT IMEP-LAHC CMNE DRT LETI CEA-GRE CROMA
121 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More