Article Dans Une Revue
Global Journal of Physical Chemistry
Année : 2011
Hal Cinam : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00603274
Soumis le : vendredi 24 juin 2011-15:18:19
Dernière modification le : mercredi 31 janvier 2024-16:47:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00603274 , version 1
Citer
N. Rochdi, Mahfoudh Raïssi, S. Vizzini, C. Coudreau, J.-L. Lazzari, et al.. Structural and electrical characterizations of nanometer scaled aluminum oxide in metal / insulator / silicon (100) heterostructures. Global Journal of Physical Chemistry, 2011, 2 (2), pp.230-235. ⟨hal-00603274⟩
30
Consultations
0
Téléchargements