Article Dans Une Revue
Institute of physics conference series
Année : 2010
Hal Cinam : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00603269
Soumis le : vendredi 24 juin 2011-15:17:35
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00603269 , version 1
Citer
A. Jdidi, N. Sfina, M. Saïd, J.L. Lazzari. Engineering of Ga1-xInxAsySb1y/GaSb quantum well for III-V based devices emitting near 2.7 µm. Institute of physics conference series, 2010, 13, pp.012005. ⟨hal-00603269⟩
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