Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
H. Galous
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603138 , version 1 (24-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603138 , version 1

Citer

F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, et al.. Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants. 17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.6E9, 1-4. ⟨hal-00603138⟩
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