Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00603114
Soumis le : vendredi 24 juin 2011-10:29:58
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00603114 , version 1
Citer
N. Ketteniss, F. Lecourt, H. Behmenburg, A. Noculak, N. Defrance, et al.. Impact of gate length on the device performance of passivated InAlN/GaN HFET. 35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2011, 2011, Italy. pp.1-2. ⟨hal-00603114⟩
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