SiN/AlN/GaN : a promising heterostructure for millimeter wave applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

SiN/AlN/GaN : a promising heterostructure for millimeter wave applications

Malek Zegaoui
N. Rolland
Paul-Alain Rolland
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603112 , version 1 (24-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603112 , version 1

Citer

F Medjdoub, Malek Zegaoui, N. Rolland, Paul-Alain Rolland. SiN/AlN/GaN : a promising heterostructure for millimeter wave applications. 35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2011, May 2011, Catania, Italy. pp.39-40. ⟨hal-00603112⟩
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