CMOS inverter based on Schottky source-drain MOS technology with low-temperature dopant segregation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2011

CMOS inverter based on Schottky source-drain MOS technology with low-temperature dopant segregation

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hal-00603004 , version 1 (16-09-2024)

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Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois. CMOS inverter based on Schottky source-drain MOS technology with low-temperature dopant segregation. IEEE Electron Device Letters, 2011, 32, pp.728-730. ⟨10.1109/LED.2011.2131111⟩. ⟨hal-00603004⟩
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