Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm

J. Mo
  • Fonction : Auteur
A. Olivier
  • Fonction : Auteur
Nicolas Wichmann
Yannick Roelens
L. Desplanque
X. Wallart
Francois Danneville
Gilles Dambrine
F. Martin
  • Fonction : Auteur
O. Desplats
  • Fonction : Auteur
S. Bollaert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00597145

Soumis le : mardi 31 mai 2011-11:44:17

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00597145 , version 1 (31-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00597145 , version 1

Citer

J. Mo, A. Olivier, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, L. Desplanque, et al.. Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm. 17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 122, 2C3, 1-4. ⟨hal-00597145⟩

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