Charge Localization during Program and Retention in Nitrided Read Only Memory-Like Nonvolatile Memory Devices - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Japanese Journal of Applied Physics Année : 2010

Charge Localization during Program and Retention in Nitrided Read Only Memory-Like Nonvolatile Memory Devices

Emmanuel Nowak
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
E. Vianello
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
Marc Bocquet
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
G. Molas
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
R. Kies
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
M. Gely
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Reimbold
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
F. Boulanger
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

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Soumis le : vendredi 27 mai 2011-09:16:03

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:23:39

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596309 , version 1 (27-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596309 , version 1

Citer

Emmanuel Nowak, E. Vianello, L. Perniola, Marc Bocquet, G. Molas, et al.. Charge Localization during Program and Retention in Nitrided Read Only Memory-Like Nonvolatile Memory Devices. Japanese Journal of Applied Physics, 2010, 49, pp.04DD12. ⟨hal-00596309⟩

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