3D real-space quantum transport simulation of nanowire MOS transistors: Influence of the ionized doping impurity - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Journal Année : 2009

3D real-space quantum transport simulation of nanowire MOS transistors: Influence of the ionized doping impurity

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Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:43:20

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Dates et versions

hal-00596132 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596132 , version 1

Citer

M. Bescond, M. Lannoo, Fabienne Michelini, L. Raymond, Marco Pala. 3D real-space quantum transport simulation of nanowire MOS transistors: Influence of the ionized doping impurity. Microelectronics Journal, 2009, 40, pp.756-758. ⟨hal-00596132⟩

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