Article Dans Une Revue
Microelectronics Journal
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00596132
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:43:20
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:20
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596132 , version 1
Citer
M. Bescond, M. Lannoo, Fabienne Michelini, L. Raymond, Marco Pala. 3D real-space quantum transport simulation of nanowire MOS transistors: Influence of the ionized doping impurity. Microelectronics Journal, 2009, 40, pp.756-758. ⟨hal-00596132⟩
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